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2025-07-11 07:43:48
注资(c)材料最顶部50μm表面层中的晶粒尺寸分布。
圳科h)自组装TENG网络对不同电容器的充电性能。该TENG网络还展示了自我修复破坏和可重构的性能，源国其高度自治能力极大地增强了TENG网络作为海洋结构的可靠性，便于构造和维护。
i,j)俯仰正弦激励下，氢深位移角度对转移电荷(i)和短路电流(j)的影响。王中林院士的开创性工作荣获了多项国际荣誉：技开美国显微镜学会1999年巴顿奖章﹐2009年美国陶瓷学会Purdy奖，技开2011年美国材料学会奖章(MRSMedal)，2012年美国陶瓷学会EdwardOrtonMemorial奖，2013ACSNano讲座奖，2014年美国物理学会JamesC.McGroddy新材料奖，2013中华人民共和国国际科学技术合作奖，2014年佐治亚理工学院杰出教授终身成就奖，2014年NANOSMAT奖，2014年材料领域世界技术奖。网络连接是大规模TENG网络研究的另一个关键问题，司成由于在海洋中的实际应用可能涉及数万个单元，司成其构建和维护都具有相当的复杂性，与此同时，网络结构也会受到一些极端海洋天气的威胁，例如风暴，这些极端环境极易破坏海洋中的大型结构物，另外，通过绳缆或类似的连接装置也可能在长期运行存在疲劳失效问题。
注资h)输出功率和峰值电流与负载电阻的关系。采用TENG及其网络收集波浪能的概念最早由王中林院士于2014年提出，圳科通过TENG将不规则的低频波浪运动转化为电能，圳科并基于大规模的TENG网络收集大面积海域的波浪能量，将可能成为一种非常有前景的波浪能量收集技术方案。
源国c,d)自组装TENG网络在水波驱动下的短路电流（整流）(c)和转移电荷量(d)。
2018年，氢深王中林院士获得被誉为世界能源领域诺贝尔奖的埃尼奖（EniAward）。技开SWCNT也可以通过LbL组装沉积获得。
作者首先总结了具有自限性特征的纳米增材制造方法的基本原理，司成其中特别关注了Langmuir-Blodgett组装和LbL组装两种方法。注资【团队在该领域工作汇总】 Zhu,J.;Hersam,M.C.,AssemblyandElectronicApplicationsofColloidalNanomaterials.Adv.Mater.,2017,29,1603895Zhu,J.;Kang,J.;Kang,J.;Jariwala,D.;Wood,J.D.;Seo,J.-W.T.;Chen,K.-S.;Marks,T.J.;Hersam,M.C.,Solution-ProcessedDielectricsBasedonThickness-SortedTwo-DimensionalHexagonalBoronNitrideNanosheets.NanoLett.,2015,15,7029-7036.Zhu,J.;Liu,X.;Geier,M.L.;McMorrow,J.J.;Jariwala,D.;Beck,M.E.;Huang,W.;Marks,T.J.;Hersam,M.C.,Layer-by-LayerAssembled2dMontmorilloniteDielectricsforSolution-ProcessedElectronics.Adv.Mater.,2016,28,63-68.Zhu,J.;Zhang,H.;Kotov,N.A.,ThermodynamicandStructuralInsightsintoNanocompositesEngineeringbyComparingTwoMaterialsAssemblyTechniquesforGraphene.ACSNano,2013,7,4818-4829.Zhu,J.;Shim,B.S.;DiPrima,M.;Kotov,N.A.,TransparentConductorsfromCarbonNanotubesLbl-AssembledwithPolymerDopantwithΠ−ΠElectronTransfer.J.Am.Chem.Soc.,2011,133,7450-7460.【相关优质文献推荐】1）Maheshwari,V.;Saraf,R.F.,High-ResolutionThin-FilmDevicetoSenseTexturebyTouch.Science,2006,312,1501-1504.2）Lee,J.S.;Cho,J.;Lee,C.;Kim,I.;Park,J.;Kim,Y.M.;Shin,H.;Lee,J.;Caruso,F.,Layer-by-LayerAssembledCharge-TrapMemoryDeviceswithAdjustableElectronicProperties.Nat.Nanotechnol.,2007,2,790-795.3）Richardson,J.J.;Bjornmalm,M.;Caruso,F.,Technology-DrivenLayer-by-LayerAssemblyofNanofilms.Science,2015,348,12.4）Choi,J.H.;Wang,H.;Oh,S.J.;Paik,T.;Jo,P.S.;Sung,J.;Ye,X.C.;Zhao,T.S.;Diroll,B.T.;Murray,C.B.,etal.,ExploitingtheColloidalNanocrystalLibrarytoConstructElectronicDevices.Science,2016,352,205-208.5）Wallin,T.J.;Pikul,J.;Shepherd,R.F.,3dPrintingofSoftRoboticSystems.Nat.Rev.Mater.,2018,3,84-100.文献链接：Self-LimitingAssemblyApproachesforNanoadditiveManufacturingofElectronicThinFilmsandDevices(Adv.Mater.,2019,DOI:10.1002/adma.201806480)本文由材料人编辑部abc940504编译整理。
图3导体、圳科半导体和电介质的增材制造。源国金属通常具有非常高的导电性。